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三星芯片及代工高层大洗牌加速提升3纳米良率比拼台积电

栏目:互联    发布时间:2022-06-06 11:09   阅读量:19344   

聚恒com今日报道,据韩媒消息,三星电子已经更换了负责开发下一代芯片的半导体R&D中心负责人,代工业务的高层也进行了洗牌,由存储专家领导代工业务的核心部门业内分析,在3纳米抢先量产之际,反复说三星先进工艺良率差是最大问题这次大刀阔斧的高层洗牌,是为了加速先进制程良率的提升,与TSMC一争高下

消息称,三星电子已经任命副总裁兼闪存开发部门负责人Song Jae—hyuk为半导体R&D中心的新负责人业务方面,任命半导体设备解决方案部全球制造和基础设施副总裁Nam Seok—woo为代工制造技术中心负责人根据消息显示,两人都是与三星存储工艺技术开发相关的专家同时,三星还任命了内存制造技术中心副总裁Kim Hong—shik领导代工技术创新团队

报道称,三星预计最快于本月量产3 nm工艺,并赶超计划于下半年量产3 nm工艺的TSMC。

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来源:C114通信网    
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