TSMC和三星的利润结构表明，在高价纳米竞争领域利润率更高由于英特尔落后于7纳米，只有TSMC和三星电子可以达到5纳米至3纳米以上最近有消息称，高通看中了TSMC的3nm工艺，但出于成本考虑，还是把下一代骁龙8 Gen 3交给了三星和TSMC
TSMC和三星的3nm将再次首次同台竞技有机构指出，TSMC N3良率可达75%至80%，三星紧随其后，称全球只有两三家厂商率先采用高端EUV薄膜技术和尖端技术
好率，TSMC科技稳赢。
根据Business Next的采访，半导体行业的分析师和专家估计，目前TSMC的N3成品率可能为60%~70%，最高可达75%~80%第一批成绩还不错金融分析师Dan Nystedt在推特上说，TSMC目前的N3收益率与早期的N5收益率相似，可能高达80%
相比之下，三星代工厂3GAE的良品率前期在10% ~ 20%不等，报废率高得离谱，毫无起色。
尽管各种估计差异很大，但报告指出，关于TSMC当前的N3收益率，有几点值得注意首先，收益率计算方法有争议，结果可能参考性不够具体来说，可以对通过TSMC制造厂18运行的商业晶片进行计算，或者可以对包含各种IP的测试晶片进行计算其次，除了TSMC和它的客户，没有人知道商业或测试晶圆片的准确产量第三，如果只考虑商业晶圆，据报道，TSMC N3公司目前被用作早期采用者
但该机构同时指出，由于目前TSMC商业化生产的N3设计数量有限，且与良率相关的数据属于代工厂及其客户的商业机密，因此无法得知TSMC的N3良率有多高或多低。
三星出大招，先用高端EUV膜
三星在努力提高良品率，最近又有新动作据台湾媒体报道，三星电子将在其3纳米制程中采用最新的透光率超过90%的EUV薄膜，以提高良率
光掩模材料公司SampS Tech在2021年成功开发出90%透过率的半导体EUV膜，成为除ASML之外拥有该技术的公司ChosunBiz报道称，据业内人士透露，Samp美国最早将于今年上半年开始量产透光率超过90%的EUV薄膜在三星的要求下，收益率目标是提高到94%
三星投资的半导体材料和设备供应商中，Samp美国科技获得了最多的投资资金2020年7月，三星注资658亿韩元收购Samp8%的技术
据报道，薄膜在EUV技术时代起着至关重要的作用，它可以防止EUV受到污染，导致产量表现不佳三星将采用透光率超过90%的薄膜，最大限度减少光源损耗，稳定其3nm芯片的生产良率
据报道，没有晶圆代工厂使用透光率超过90%的薄膜主要的EUV电影供应商包括荷兰的ASML，日本的三井化学和韩国的Samp公司，技术和金融服务三星现在投资Samp美国和FST开发EUV电影供自己使用
当时，与GAA相关的蚀刻和测量问题尚未解决，材料和化学品需要升级，全球GAA生态系统尚未完全到位三星3nm GAA技术的量产是赶鸭子上架当这些问题逐一突破，生态系统完善后，三星能否迎头赶上也未可知
对手的弱点就是机会。
半导体技术竞争的焦点在最先进的人物身上，但实际上产品力是技术进入市场的重要考量现代半导体生产技术涉及数以千计的工艺步骤，并取决于材料，使用的晶圆厂设备和工具，工艺配方和许多其他因素因此，影响良率的因素可能有成千上万种
高通对TSMC的态度悬而未决有一个重要原因:成本TSMC对3纳米晶圆的报价为2万美元/片，比5纳米贵20%经过计算，高通发现这意味着为自己增加数百万美元的成本这对于它的下游客户，也就是手机厂商来说也是非常不友好的
其次，TSMC的工艺复杂，N3，N3E，N3S，N3P，N3X都是非常不同的制造技术虽然N3的早期收益率对其他节点来说是一个好兆头，但它不能保证其他节点也会同样成功如果TSMC只考虑其最大客户苹果的需求，并将其应用于为大众市场产品提供动力的芯片组，60%的N3收益率下限其实并不高
值得注意的是，作为科技核心的半导体已经成为各国进行战略博弈的重要场所，而TSMC的实力给二把手三星带来了机会为了减少对TSMC的依赖，事实上，美国有意扶植南韩的3纳米技术比如前几天拜登访问韩国，专机就赶到首尔以南70公里的三星平泽工厂，参观3nm芯片三星后续发展还有待观察
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