比利时研究实验室IMEC研究出了半导体技术和芯片设计从1纳米到2纳米的路径。
据eeNews报道，IMEC首席执行官吕克·范登霍夫在未来大会上表示:我们相信摩尔定律不会走到尽头，但需要多方共同做出贡献。
他提到了几代器件架构，从FinFET器件到插件和原子通道器件，以及新材料和ASML高NA掩模对准器的引入，这将需要很多年目前正在安装的NA原型设备将于2024年投入商用我们相信光刻工具将把摩尔定律扩展到一代人以下，相当于1纳米
不过，它也表示，为了迈向更先进的工艺，有必要开发新的器件架构，并促进标准单元的缩小在FinFET已经成为10nm到3nm主流技术的基础上，由2nm起的纳米片堆叠而成的GAA架构将是最有可能的概念
他提到了IMEC开发的forksheet架构这使我们能够用阻挡层材料更紧密地连接N和P沟道，这将是将栅极扩展到1纳米以上的一种选择接下来可以把N和P通道放在一起，进一步扩大规模我们相信我们已经开发了这些架构的第一个版本
使用钨或钼的新材料，有可能在2028年为1nm工艺制造相当于几个原子长度的栅极，在2034年制造4个Amy 结构，在2036年制造2个Amy 结构。
同时，互联性能也需要提高一个有趣的选择是将功率传输移到晶片的背面这为前端互连留下了更大的设计灵活性这些都将导致未来15到20年的规模扩张
未来，片上系统设备将使用TSV和微凸块技术来集成芯片的3D堆叠，并使用不同的工艺芯片来完成不同的任务，从而需要在一个硅中介层上连接多个3D芯片。
我们一直在开发所有这些技术，正如我们所说的那样，这些技术正在逐渐被业界采用。
。郑重声明：此文内容为本网站转载企业宣传资讯，目的在于传播更多信息，与本站立场无关。仅供读者参考，并请自行核实相关内容。
